Bei der Expansion in den Markt für GaN-on-Si High-Power Electronics (HPE) und Radio Frequency (RF) Epi-Wafer setzt AZUR SPACE auf die AIX G5 + C-Anlage von AIXTRON SE (FWB: AIXA), einem weltweit füh...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, meldet einen Corona Fall am Hauptsitz in Herzogenrath. AIXTRON wurde am Abend des 27.2.202...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Hersteller von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass PlayNitride Inc. die AIX G5+ C MOCVD-Anlage des Unternehmens für di...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute bekannt, dass das Unternehmen eine AIX G5 WW C-Anlage zur Weiterentwicklung v...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat im Rahmen des Projekts „HEA2D“ gemeinsam mit fünf Partnern erfolgreich die Herste...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, hat eine Close Coupled Showerhead® (CCS)-Anlage an die Universität Nagoya (Japan) gelief...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, ist Partner im europäischen Forschungsprojekt „UltimateGaN“ (Research for GaN technol...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab heute die Lieferung mehrerer AIX 2800G4-Anlagen an den US-amerikanischen Photonik-Hers...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass das Unternehmen mehrere AIX 2800G4-TM (IC2)-Cluster-Systeme an San̵...Read More
AIXTRON SE (FSE: AIXA), ein weltweit führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gibt bekannt, dass PlayNitride Inc. eine AIX G5+ C MOCVD-Anlage zur Herstellung von GaN-b...Read More