Die AIXTRON CCS 3×2, die an Boise geliefert wird, hat eine Kapazität von 3×2" Wafern. Die Anlage wird eine maximale Betriebstemperatur von 1.400 C haben, die die Abscheidung von Graphen und hBN auf Saphir sowie neuartige Strukturen für GaN-basierte UV-LEDs ermöglicht. Ausgestattet mit einer Vielzahl von Kanälen für Gase und Metallorganika, ermöglicht das der Boise State University, die modernsten 2D-Materialien abzuscheiden. Darüber hinaus wird die Anlage mit den AIXTRON-eigenen In-situ-Messtechnologien ARGUS und EPISON ausgestattet sein, die sich als entscheidend für die gleichmäßige und wiederholbare Herstellung von 2D-Materialien auf Wafern erwiesen haben.

Mit Hilfe des CCS 3×2 will Boise State die Herstellung fortschrittlicher, flexibler Hybridelektronik auf Basis von 2D-3D-Heterostrukturen ermöglichen. Ziel ist es, die AIXTRON-Anlage zur Erforschung und Bewältigung der Herausforderungen bei der großtechnischen Synthese und der Integration von 2D-Materialien in den Prozessablauf zur Herstellung von Halbleiterbauelementen einzusetzen.

"Die AIXTRON-Anlage ist ein wichtiger Bestandteil des Ausbaus unserer Forschungsinfrastruktur. Die AIXTRON Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage ist in der Lage, sowohl Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene als auch herkömmliche Halbleiterschichten im Wafermaßstab zu erzeugen", sagt David Estrada, stellvertretender Direktor des Boise State Center for Advanced Energy Studies und außerordentlicher Professor an der Micron School of Materials Science and Engineering.

Die AIXTRON CCS 3×2-Anlage wird voraussichtlich die einzige Anlage an einer US-amerikanischen Universität sein, die speziell für die Herstellung von 2D- und Nitrid-Verbindungshalbleitern im Wafer-Maßstab ausgelegt ist. Sie dient der Ausbildung zukünftiger Halbleiterspezialisten auf Bachelor- und Master-Ebene für die US-amerikanische Halbleiterindustrie.

In enger Zusammenarbeit mit AIXTRON wird das Forschungsteam der Boise State einzigartige Materialeigenschaften, Algorithmen der künstlichen Intelligenz und bahnbrechende Mikrofabrikationstechniken nutzen, um neuartige Technologien für zukünftige Anwendungen zu entwickeln und voranzutreiben.

"Wir freuen uns, unsere Beziehungen zu den Vereinigten Staaten und der akademischen Welt durch die Bereitstellung eines industrietauglichen F&E-Reaktors für die Boise State University zu vertiefen. Unsere CCS 3×2-Anlage liefert in zahlreichen Anwendungen erstklassige Ergebnisse für 2D-Materialien im Wafer-Maßstab. Sie ist außerdem die einzige Anlagentechnologie, die für die kombinierte 2D- und GaN-Forschung konfiguriert werden kann und gleichzeitig das Wachstum von van-der-Waals-Heterostrukturen ermöglicht", erklärt Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor