Der 3 W-Konverter ist in einem platzsparenden 7 Pin Single-Inline-Gehäuse mit einer Eingangsspannung von 18 VDC ± 10 % und einem Dualausgang von 18 VDC/85 mA und -6 V/250 mA untergebracht. Die Isolationsfestigkeit (primär/sekundär) beträgt 3 kV (2 s/0,5 mA).

Im Vergleich zu DC-DC-Konvertern für Standardanwendungen müssen Wandler für Mosfet- und IGBT Gate-Ansteuerungen höhere Anforderungen erfüllen. Unabhängig von der Basistechnologie – Standard-Silizium oder Silizium-Carbid – gelten für die Auswahl der Konverter andere Kriterien: Durch die spezielle Charakteristik der SiC-Transistoren mit sehr niedrigen Durchbruchspannungen ist es für eine schnelle und sichere Abschaltung wichtig, mit einem starken negativen Spannungspuls aus- und mit starkem positiven Puls wieder einzuschalten. Nur so lassen sich die Vorteile der Effizienz der SiC-Technologie auch ausschöpfen. Diese Spannungen muss der Wandler zuverlässig mit der erforderlichen Geschwindigkeit bereitstellen können.

Die schnellen dv/dt-Spannungshübe und die hohen Frequenzen in Transistor-Ansteuerschaltungen bedeuten einen höheren Stress für die Wandler verglichen mit Industrie- oder Consumer-Standardanwendungen. Für die Zuverlässigkeit ist es daher notwendig, den Wandler mit niedrigen Koppelkapazitäten und hoher Isolationsspannung zu designen.

Aufgrund der starken R&D-Ausrichtung und seiner hohen Flexibilität kann YDS kundenspezifische Anpassungen der elektrischen Parameter umsetzen und damit individuelle Applikationsanforderungen erfüllen.

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